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[发明专利]温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110295345.0无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
温度制作高效率基材薄膜太阳能电池

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池-CN201110285753.8无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、N型氢化微晶硅薄膜、第二透明导电层与金属背电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110285754.2无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作基材薄膜太阳能电池

[发明专利]低温多晶硅薄膜制作方法-CN200710073193.3无效
发明人：叶冠华;吴宏基;黄荣龙 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2007-02-02 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜制作方法，其包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一缓冲层；在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜；通过一微影/刻蚀工艺，刻蚀该第一非晶硅薄膜，在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒；在该缓冲层上沉积一覆盖该非晶硅颗粒的第二非晶硅薄膜；对该第二非晶硅薄膜进行再结晶工艺，使该第二非晶硅薄膜熔融后以该多个非晶硅颗粒为晶种再结晶，形成一多晶硅薄膜。
低温多晶薄膜制作方法

[发明专利]氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法-CN201310573301.9无效
发明人：王相虎 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法，包括：氢化非晶硅薄膜制备步骤，用于在玻璃衬底上制备氢化非晶硅薄膜；氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤，用于利用化学腐蚀方法将氢化非晶硅薄膜制备成氢化非晶硅纳米线阵列。在氢化非晶硅薄膜制备步骤中，首先对玻璃衬底进行清洗；然后将清洗过的玻璃衬底放进磁控溅射设备中，利用磁控溅射设备在玻璃衬底上面制备氢化非晶硅薄膜。在氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤中，首先利用耐强酸树脂将未形成氢化非晶硅薄膜的衬底背面、以及氢化非晶硅薄膜周围密封，仅裸露形成有氢化非晶硅薄膜的面，然后浸入H2SO4和H2O2的混合溶液中，再浸入HF溶液中去除表面氧化物
氢化非晶硅纳米阵列制备方法

[实用新型]一种基于氧化锡前电极的非晶硅薄膜电池-CN201120118803.9有效
发明人：吴兴坤;李媛;曹松峰 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氧化锡前电极的非晶硅薄膜电池，属于非晶硅薄膜电池技术领域，其是由包括氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板、第一非晶硅P型层、第二非晶硅P型层、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层、非晶硅Ｎ型层和背电极层依次复合构成，所述的第一非晶硅P型层、第二非晶硅P型层、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层、非晶硅Ｎ型层构成非晶硅发电层，所述的第一非晶硅P型层采用无氢沉积，第二非晶硅P型层采用有氢沉积。该结构的非晶硅薄膜电池可在不改变现有的生产流程和不引进额外的生产设备的情况下对现有工艺进行调整，有利于制造时提高薄膜的沉积速度，缩短氧化锡暴露在氢等离子体中的时间，从而起到相似的保护氧化锡薄膜的作用。且该非晶硅薄膜电池的功率最大能提高8W。
一种基于氧化电极非晶硅薄膜电池

[发明专利]一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法-CN200810240124.1无效
发明人：周志文;曾祥斌;宋佩珂 -专利权人：广东志成冠军集团有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种实时检测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，在非晶硅薄膜晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。本发明实施简单，并且可以在非晶硅薄膜晶化的过程中反映其晶化程度。
一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导方法

[发明专利]非晶硅薄膜形成方法-CN202110709272.9在审
发明人：朱黎敏;陆涵蔚;华光平;徐云;张博 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种非晶硅薄膜形成方法，涉及半导体集成电路领域。该非晶硅薄膜形成方法包括在半导体衬底表面形成底层非晶硅薄膜；进行n次成膜工艺处理，在所述底层非晶硅薄膜表面形成n组层叠的薄膜结构，每组薄膜结构由一层氧化硅薄膜和一层非晶硅薄膜堆叠构成；解决了采用现有工艺形成的非晶硅薄膜在高温下电阻值容易发生变化的问题；达到了稳定非晶硅薄膜在高温下的电阻值，避免红外器件因非晶硅薄膜电阻变化而失效的效果。
非晶硅薄膜形成方法

[实用新型]一种硅基异质结太阳电池-CN201020102974.8无效
发明人：倪开禄;彭德香;陶然;张正权;沈文忠;司新文;张剑;孟凡英;彭铮;李长岭;高华;李正平;周红芳 -专利权人：上海超日太阳能科技股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基异质结太阳电池，结合了晶体硅与薄膜材料的特点，包括自上而下叠层结合的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，n型非晶硅碳薄膜层与n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，n型非晶硅薄膜层与n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，从而形成一种非晶硅碳/非晶硅/微晶硅/晶体硅太阳电池结构，有利于减弱非晶硅薄膜的光致衰减效应，提高太阳电池的稳定性；利用不同带隙半导体材料组成的窗口效应
一种硅基异质结太阳电池

[发明专利]一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构及其制备方法-CN202011262779.6在审
发明人：冯乐;白焱辉;王继磊;黄金;贾慧君;鲍少娟;杨骥;任法渊;杨文亮;杜凯;师海峰 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构包括：单晶硅片基底；单晶硅片基底正面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；单晶硅片基底背面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；透明导电薄膜上均设有金属电极。本发明在不影响HJT电池的电池结构情况下，通过使用管式PECVD进行本征非晶硅薄膜的制备，在一定的工艺条件下使其Eta可以接近板式PECVD制备的本征非晶硅薄膜电池Eta，从设备及工艺两个方向达到降本的目的本发明通过使用管式PECVD设备制备本征非晶硅层形成钝化层，使用板式PECVD设备制备n、p型掺杂非晶硅层分别形成场钝化层和p‑n结层。
一种非晶硅异质结电池结构及其制备方法

[实用新型]一种覆晶薄膜和非晶硅玻璃压合效果检测结构-CN202121059973.4有效
发明人：周风龙 -专利权人：中山爱瑞科技有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种覆晶薄膜和非晶硅玻璃压合效果检测结构，包括有非晶硅玻璃和至少一个覆晶薄膜，非晶硅玻璃顶面侧边上设有至少一个非晶硅玻璃焊盘连接端，非晶硅玻璃焊盘连接端上设有多条相互平行的非晶硅玻璃焊盘条，其中两条非晶硅玻璃焊盘条上端短接，覆晶薄膜上设有多条相互平行且分别与非晶硅玻璃焊盘条下端压合连接的覆晶薄膜焊盘焊盘条，覆晶薄膜上设有检测孔，与短接的非晶硅玻璃焊盘条连接的两条覆晶薄膜焊盘焊盘条下端分别与检测孔连接，通过检测两个检测孔之间的电阻值即可判断两者压合效果，实现了快速覆晶薄膜和非晶硅玻璃压合效果的快速检测。
一种薄膜非晶硅玻璃效果检测结构

[发明专利]异质结太阳能电池片、叠瓦组件及其制造方法-CN201911183792.X在审
发明人：王秀鹏;王月斌;蒋卫朋;余义 -专利权人：成都晔凡科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：异质结太阳能电池片的基体片包括中心层、N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层和透光导电层，中心层包括单晶硅衬底层和本征非晶硅薄膜层，本征非晶硅薄膜层设置在单晶硅衬底层的顶侧和底侧，且位于单晶硅衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均为至少两层；N型非晶硅薄膜层设置在中心层的顶侧，P型非晶硅薄膜层设置在中心层的底侧；透光导电层设置在N型非晶硅薄膜层的顶侧和P型非晶硅薄膜层的底侧。本发明能够降低单晶硅衬底与N型、P型非晶硅薄膜层之间缺陷态密度及表面复合速率、提高钝化效果，提高电池的开路电压、填充因子和转换效率。
单晶硅中心层顶侧本征非晶硅薄膜衬底层异质结太阳能电池透光导电层缺陷态密度表面复合钝化效果开路电压填充因子转换效率瓦组件衬底两层电池制造

[发明专利]多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法-CN201410203194.5在审
发明人：刘政 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，可使多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高，从而使得薄膜晶体管的电学性能得到提升。该多晶硅薄膜的制备方法包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜；采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理，使非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜；进一步的在形成非晶硅薄膜之后，采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理之前，所述方法还包括：对非晶硅薄膜的表面进行镍盐溶液处理，使镍盐溶液均匀涂于非晶硅薄膜的表面。用于需要提高多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高的多晶硅薄膜、低温多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备。
多晶薄膜薄膜晶体管阵列制备方法

[发明专利]TFT背板的制作方法及TFT背板-CN201610399170.0有效
发明人：周星宇 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明的TFT背板的制作方法，通过在缓冲层上制作包括含氧非晶硅薄膜以及位于所述含氧非晶硅薄膜上的不含氧非晶硅薄膜的非晶硅薄膜，使得采用硼离子诱导固相晶化法对所述非晶硅薄膜进行晶化处理时，由于所述非晶硅薄膜与缓冲层的接触界面为含氧非晶硅薄膜，而含氧非晶硅薄膜在高温结晶过程中不容易产生晶核，从而使得晶核的产生仅发生在非晶硅薄膜上表面的硼离子掺杂层中，并且自上而下发生结晶，晶粒质量好，薄膜均一性好，从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。本发明的TFT背板，制程简单，其中的多晶硅层的结晶质量与均一性较好，提升了TFT的性能，增强其驱动效果。
tft 背板制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置-CN201010180971.0无效
发明人：金原奭;金馝奭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置，其中，低温多晶硅薄膜的制造方法包括：提供一基板，并在所述基板上形成一缓冲层；在缓冲层之上沉积第一非晶硅薄膜；在第一非晶硅薄膜之上涂覆催化剂颗粒；沉积第二非晶硅薄膜，所述第二非晶硅薄膜覆盖所述第一非晶硅薄膜和催化剂颗粒；对所述第一非晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜进行结晶化，使之结晶形成低温多晶硅薄膜。本发明解决了现有技术中存在的低温多晶硅薄膜制得的晶体管漏电的问题，有效抑制了关态电流的发生。
低温多晶薄膜及其制造方法晶体管显示装置

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